encyklopedia.run.place

IEEE International Conference on Electronic Devices

IEEE International Conference on Electronic Devices (z ang. IEEE International Conference on Electronic Devices, w skrócie ICED) to coroczna, międzynarodowa konferencja naukowo‑techniczna organizowana przez IEEE w ramach Electron Devices Society (EDS). Konferencja skupia badaczy, inżynierów i przedstawicieli przemysłu zajmujących się najnowszymi rozwiązaniami w dziedzinie urządzeń elektronicznych, ze szczególnym uwzględnieniem technologii półprzewodnikowych, optoelektroniki, mikrotechnologii oraz aplikacji w energetyce i telekomunikacji.

Historia

Pomysł powstania ICED zrodził się w latach 1993 w trakcie dyskusji członków IEEE na temat potrzeby dedykowanego forum dla wymiany wyników badań nad urządzeniami półprzewodnikowymi. Pierwsza edycja odbyła się w 1995 roku w San Francisco (USA) i przyciągnęła ponad 300 uczestników. Od tego czasu konferencja utrzymuje się w stałym rytmie rocznym, zmieniając kolejno miejsca organizacji pomiędzy kontynentami:

W ciągu ponad 30 lat istnienia konferencja stała się jednym z najważniejszych wydarzeń w dziedzinie urządzeń elektronicznych, przyczyniając się do szybkiego rozwoju technologii, które dziś znajdują zastosowanie w smartfonach, samochodach autonomicznych, systemach medycznych i energii odnawialnej.

Zakres tematyczny

Program ICED obejmuje szerokie spektrum zagadnień, podzielonych na sesje tematyczne:

Struktura konferencji

Typowa edycja ICED trwa cztery dni i składa się z następujących elementów:

  1. Sesje plenarnych – prelekcje prowadzone przez wybitnych specjalistów, w tym laureatów nagród IEEE Millennial i nagrodzonych medalem IEEE Medal of Emergence.
  2. Sesje tematyczne – prezentacje referatów krótkich (short papers) oraz pełnych (full papers) podzielone tematycznie.
  3. Poster Session – interaktywne wystawy posterów, pozwalające na bezpośrednią dyskusję autorów z uczestnikami.
  4. Warsztaty i tutoriale – praktyczne zajęcia prowadzone przez ekspertów, obejmujące symulacje TCAD, techniki litografii i metody pomiarowe.
  5. Panel dyskusyjny – debata na temat aktualnych wyzwań branży, w tym zrównoważonego rozwoju i standaryzacji komponentów.

Wydarzenia towarzyszące

W ramach ICED organizowane są również:

Znaczące publikacje i osiągnięcia

W ciągu swojego istnienia ICED stała się miejscem premierowego przedstawienia wielu przełomowych technologii, m.in.:

  • W 1999 roku zaprezentowano pierwsze prototypy tranzystorów FinFET o szerokości kanału poniżej 30 nm.
  • W 2005 roku opisano technologię azotku galu (GaN) w układach wysokiej mocy, co przyczyniło się do rozwoju przemysłu energetycznego.
  • W 2012 roku przedstawiono koncepcję grafenowego tranzystora z mobilnością ponad 200 000 cm²/V·s.
  • W 2018 roku opublikowano wyniki badań nad urządzeniami neuromorficznymi wykorzystującymi materiały rezystancyjne (RRAM).

Powiązane konferencje

Na polu urządzeń elektronicznych istnieje szereg innych ważnych wydarzeń, które współdziałają z ICED:

Patronat i współpraca

Konferencja jest objęta patronatem IEEE oraz jego pododdziałów: Electron Devices Society, Photonics Society i Nanotechnology Council. Współpracuje także z organizacjami akademickimi, takimi jak ACM, oraz z agencjami rządowymi i przemysłem (np. Intel, TSMC, Samsung Electronics).

Statystyki uczestnictwa

RokMiejsceLiczba uczestnikówLiczba referatów
1995San Francisco312128
2000Paryż540215
2010Pekin1 023478
2020Online (COVID‑19)1 587692
2024Bangalore1 842761

Patrzenie w przyszłość

W kolejnych latach ICED ma planować rozwój w kierunku sztucznej inteligencji w projektowaniu urządzeń, integracji komputerów kwantowych i wdrażania zrównoważonych procesów produkcyjnych. Nowe formaty hybrydowe (łączące sesje stacjonarne i wirtualne) mają zwiększyć dostępność konferencji dla globalnej społeczności badawczej.

Patrzenie na dalsze informacje

Więcej szczegółów, w tym archiwalne materiały konferencyjne, można znaleźć w sekcjach:

Artykuł powstał w oparciu o dostępne źródła encyklopedyczne i materiały udostępnione przez IEEE oraz partnerów konferencji.